Storyboard

Mide la capacitancia de una unión p-n o estructura MOS en función del voltaje aplicado para extraer el perfil de dopaje en profundidad; usa directamente el ancho de agotamiento de M1.

ID:('ky', 1744)

Storyboard

$C=\frac{\varepsilon_sA}{W}$

Variables

$C$

Capacitancia de la unión

$F$

$varepsilon_s$

Permitividad del semiconductor

$F/m$

$W$

Ancho de agotamiento

$m$

$A$

Área de la unión

$m²$

ID:('gm', 15018)

Storyboard

$W=\sqrt{\frac{2\varepsilon_s(V_{bi}-V)}{eN_0}}$

Variables

$N_0$

Dopaje nominal usado para generar C-V

$1/m³$

$e$

Carga elemental

$C$

$varepsilon_s$

Permitividad del semiconductor

$F/m$

$V_{bi}$

Potencial built-in de la unión

$V$

$V$

Voltaje aplicado

$V$

$W$

Ancho de agotamiento

$m$

ID:('gm', 15019)

Storyboard

$N(x)=\frac{2}{e\varepsilon_sA^2,d(1/C^2)/dV}$

Variables

$N(x)$

Perfil de dopaje extraído

$1/m³$

$e$

Carga elemental

$C$

$C$

Capacitancia de la unión

$F$

$varepsilon_s$

Permitividad del semiconductor

$F/m$

$V$

Voltaje aplicado

$V$

$A$

Área de la unión

$m²$

ID:('gm', 15020)

Storyboard

$x=\frac{\varepsilon_sA}{C}$

Variables

$C$

Capacitancia de la unión

$F$

$varepsilon_s$

Permitividad del semiconductor

$F/m$

$x$

Profundidad asociada a la medición

$m$

$A$

Área de la unión

$m²$

ID:('gm', 15021)

Storyboard

$\frac{dV}{dt}=\frac{V_{target}-V}{\tau}$

Variables

$V$

Voltaje aplicado

$V$

$V_{target}$

Voltaje objetivo ajustable

$V$

$ au$

Constante temporal de respuesta

$s$

ID:('gm', 15022)