Usuario:

Capacitancia-Voltaje (C-V Profiling)
Descripción

Cálculos

Primero, seleccione la ecuación:   a ,  luego, seleccione la variable:   a 
Símbolo
Ecuación
Resuelto
Traducido

Cálculos

Símbolo
Ecuación
Resuelto
Traducido

 Variable   Dado   Calcule   Objetivo :   Ecuación   A utilizar


Variables
Símbolo
Texto
Variable
Valor
Unidades
Calcule
Valor MKS
Unidades MKS
$N_0$
N0_doping
Dopaje nominal usado para generar C-V
1/m³
$N(x)$
N_profile
Perfil de dopaje extraído
1/m³
$e$
e_ch
Carga elemental
C
$C$
C_junction
Capacitancia de la unión
F
$varepsilon_s$
eps_s
Permitividad del semiconductor
F/m
$V_{bi}$
V_bi_junction
Potencial built-in de la unión
V
$V$
V_applied
Voltaje aplicado
V
$V_{target}$
V_target
Voltaje objetivo ajustable
V
$W$
W_depl
Ancho de agotamiento
m
$x$
x_depth_profile
Profundidad asociada a la medición
m
$A$
A_junction
Área de la unión
m²
$ au$
tau
Constante temporal de respuesta
s

ID:(0, 1744)

gphysics.net - Dr. Willy H. Gerber
Palos Verdes, Costa de Corral, Chile