Usuario:

Unión p-n
Descripción

Cálculos

Primero, seleccione la ecuación:   a ,  luego, seleccione la variable:   a 
Símbolo
Ecuación
Resuelto
Traducido

Cálculos

Símbolo
Ecuación
Resuelto
Traducido

 Variable   Dado   Calcule   Objetivo :   Ecuación   A utilizar


Variables
Símbolo
Texto
Variable
Valor
Unidades
Calcule
Valor MKS
Unidades MKS
$n$
n_ideal
Factor de idealidad
1
$N_A$
N_A_acc
Concentración aceptor
1/m³
$N_D$
N_D
Concentración donor
1/m³
$n_i$
n_i
Concentración intrínseca
1/m³
$n_{p0}$
n_p0
Electrones minoritarios en lado p
1/m³
$p_{n0}$
p_n0
Huecos minoritarios en lado n
1/m³
$I_0$
I_0_diode
Corriente de saturación inversa
A
$I$
I_diode
Corriente del diodo
A
$e$
e_ch
Carga elemental
C
$varepsilon_s$
eps_s
Permitividad del semiconductor
F/m
$T$
T
Temperatura
K
$V_{bi}$
V_bi
Potencial de contacto built-in
V
$V$
V_applied
Voltaje aplicado
V
$W_n$
W_n
Agotamiento hacia lado n
m
$W_p$
W_p
Agotamiento hacia lado p
m
$W$
W_depl
Ancho total de agotamiento
m
$L_n$
L_n
Longitud de difusión de electrones
m
$L_p$
L_p
Longitud de difusión de huecos
m
$A$
A_junction
Área de la unión
m²
$D_n$
D_n
Coeficiente de difusión de electrones
m²/s
$D_p$
D_p
Coeficiente de difusión de huecos
m²/s
$k_B$
k_B
Constante de Boltzmann
J/K

ID:(0, 1732)

gphysics.net - Dr. Willy H. Gerber
Palos Verdes, Costa de Corral, Chile