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Contacto entre región tipo p y tipo n; la difusión de portadores hasta el equilibrio crea una región de agotamiento y un potencial de contacto - la base de todo dispositivo semiconductor.

ID:('ky', 1732)

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$V_{bi}=\frac{k_BT}{e}\ln\left(\frac{N_DN_A}{n_i^2}\right)$

Variables

$N_A$

Concentración aceptor

$1/m³$

$N_D$

Concentración donor

$1/m³$

$n_i$

Concentración intrínseca

$1/m³$

$e$

Carga elemental

$C$

$T$

Temperatura

$K$

$V_{bi}$

Potencial de contacto built-in

$V$

$k_B$

Constante de Boltzmann

$J/K$

ID:('gm', 14935)

Storyboard

$W=\sqrt{\frac{2\varepsilon_s(V_{bi}-V)}{e}\left(\frac{1}{N_D}+\frac{1}{N_A}\right)}$

Variables

$N_A$

Concentración aceptor

$1/m³$

$N_D$

Concentración donor

$1/m³$

$e$

Carga elemental

$C$

$varepsilon_s$

Permitividad del semiconductor

$F/m$

$V_{bi}$

Potencial de contacto built-in

$V$

$V$

Voltaje aplicado

$V$

$W$

Ancho total de agotamiento

$m$

ID:('gm', 14936)

Storyboard

$I=I_0\left(e^{eV/(nk_BT)}-1\right)$

Variables

$n$

Factor de idealidad

$1$

$I_0$

Corriente de saturación inversa

$A$

$I$

Corriente del diodo

$A$

$e$

Carga elemental

$C$

$T$

Temperatura

$K$

$V$

Voltaje aplicado

$V$

$k_B$

Constante de Boltzmann

$J/K$

ID:('gm', 14937)

Storyboard

$I_0=eA\left(\frac{D_pp_{n0}}{L_p}+\frac{D_nn_{p0}}{L_n}\right)$

Variables

$n_{p0}$

Electrones minoritarios en lado p

$1/m³$

$p_{n0}$

Huecos minoritarios en lado n

$1/m³$

$I_0$

Corriente de saturación inversa

$A$

$e$

Carga elemental

$C$

$L_n$

Longitud de difusión de electrones

$m$

$L_p$

Longitud de difusión de huecos

$m$

$A$

Área de la unión

$m²$

$D_n$

Coeficiente de difusión de electrones

$m²/s$

$D_p$

Coeficiente de difusión de huecos

$m²/s$

ID:('gm', 14938)

Storyboard

$p_{n0}=\frac{n_i^2}{N_D}$

Variables

$N_D$

Concentración donor

$1/m³$

$n_i$

Concentración intrínseca

$1/m³$

$p_{n0}$

Huecos minoritarios en lado n

$1/m³$

ID:('gm', 14939)

Storyboard

$n_{p0}=\frac{n_i^2}{N_A}$

Variables

$N_A$

Concentración aceptor

$1/m³$

$n_i$

Concentración intrínseca

$1/m³$

$n_{p0}$

Electrones minoritarios en lado p

$1/m³$

ID:('gm', 14940)

Storyboard

$W_n=W\frac{N_A}{N_D+N_A}$

Variables

$N_A$

Concentración aceptor

$1/m³$

$N_D$

Concentración donor

$1/m³$

$W_n$

Agotamiento hacia lado n

$m$

$W$

Ancho total de agotamiento

$m$

ID:('gm', 14941)

Storyboard

$W_p=W\frac{N_D}{N_D+N_A}$

Variables

$N_A$

Concentración aceptor

$1/m³$

$N_D$

Concentración donor

$1/m³$

$W_p$

Agotamiento hacia lado p

$m$

$W$

Ancho total de agotamiento

$m$

ID:('gm', 14942)