Benützer:

M1 p-n-Übergang

Title

Kontakt zwischen p-Typ- und n-Typ-Region; Durch die Diffusion von Ladungsträgern bis zum Gleichgewicht entstehen eine Verarmungszone und ein Kontaktpotential die Grundlage jedes Halbleiterbauelements.

ID:4501

gphysics.net - Dr. Willy H. Gerber
Palos Verdes, Costa de Corral, Chile