E5 Defectos y Niveles Profundos
Título
Estados electrónicos dentro del bandgap introducidos por defectos o impurezas metálicas de transición; actúan como centros de recombinación (M4) o trampas de carga (D5).
ID:4499
Estados electrónicos dentro del bandgap introducidos por defectos o impurezas metálicas de transición; actúan como centros de recombinación (M4) o trampas de carga (D5).
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