Storyboard

Estados electrónicos dentro del bandgap introducidos por defectos o impurezas metálicas de transición; actúan como centros de recombinación (M4) o trampas de carga (D5).

ID:('ky', 1730)

Storyboard

$f_t=\frac{1}{1+g e^{(E_t-E_F)/(k_BT)}}$

Variables

$g$

Factor de degeneración

$1$

$f_t$

Ocupación del nivel de trampa

$1$

$T$

Temperatura

$K$

$E_F$

Energía de Fermi

$J$

$E_t$

Energía del nivel de trampa

$J$

$k_B$

Constante de Boltzmann

$J/K$

ID:('gm', 14922)

Storyboard

$R_c=\sigma v_{th}N_t n$

Variables

$R_c$

Tasa de captura electrónica

$1/m²s$

$n$

Concentración de electrones

$1/m³$

$N_t$

Densidad de trampas

$1/m³$

$v_{th}$

Velocidad térmica de portadores

$m/s$

$sigma$

Sección eficaz de captura

$m²$

ID:('gm', 14923)

Storyboard

$v_{th}=\sqrt{\frac{3k_BT}{m_e^*}}$

Variables

$T$

Temperatura

$K$

$m_e^*$

Masa efectiva electrónica

$kg$

$v_{th}$

Velocidad térmica de portadores

$m/s$

$k_B$

Constante de Boltzmann

$J/K$

ID:('gm', 14924)

Storyboard

$\tau_c=\frac{1}{\sigma v_{th}N_t}$

Variables

$N_t$

Densidad de trampas

$1/m³$

$v_{th}$

Velocidad térmica de portadores

$m/s$

$sigma$

Sección eficaz de captura

$m²$

$ au_c$

Tiempo característico de captura

$s$

ID:('gm', 14925)

Storyboard

$N_{occ}=f_tN_t$

Variables

$f_t$

Ocupación del nivel de trampa

$1$

$N_t$

Densidad de trampas

$1/m³$

$N_{occ}$

Trampas ocupadas

$1/m³$

ID:('gm', 14926)

Storyboard

$P_{c,t+\Delta t}=1-(1-P_c)e^{-\Delta t/\tau_c}$

Variables

$P_c$

Probabilidad acumulada de captura

$1$

$Delta t$

Paso temporal

$s$

$ au_c$

Tiempo característico de captura

$s$

ID:('gm', 14927)