D2 Capacitancia-Voltaje (C-V Profiling)

Tópico

El ancho de la región de agotamiento de esta unión, el mismo ancho de la región de agotamiento que ya establece otro modelo de este conjunto, determina la capacitancia de esta unión en función del voltaje aplicado sobre ella: esta región de agotamiento, vacía de portadores de carga libres a ambos lados de esta unión, actúa como el dieléctrico de un capacitor de placas paralelas formado por las dos regiones cargadas que quedan a cada lado de ella, de modo que un ancho de esta región de agotamiento mayor separa más a esas dos placas efectivas y produce, en consecuencia, una capacitancia de esta unión menor. Que el voltaje aplicado en polarización inversa sobre esta unión sea mayor hace que este ancho de la región de agotamiento, según ese mismo modelo, sea en consecuencia mayor, y que esta capacitancia de esta unión, medida a ese mismo voltaje, sea menor.

Esta misma capacitancia de esta unión, medida a lo largo de un barrido de voltaje aplicado en lugar de a un único voltaje fijo, produce una curva de capacitancia frente a voltaje que este modelo invierte, según el análisis de Schottky, para obtener el perfil de dopaje en profundidad de esta unión: cada voltaje aplicado de este barrido corresponde, a través de este mismo ancho de la región de agotamiento, a una profundidad determinada dentro de esta unión, y es la pendiente local de esta curva de capacitancia frente a voltaje, en ese mismo voltaje, la que revela, mediante este análisis de Schottky, la concentración de dopaje que existe justamente a esa profundidad correspondiente. Que esta curva de capacitancia frente a voltaje presente, en un tramo determinado de este barrido de voltaje, una pendiente más pronunciada hace que este análisis de Schottky revele, para la profundidad correspondiente a ese tramo, una concentración de dopaje mayor.

Por eso este modelo, con la capacitancia de esta unión y el perfil de dopaje en profundidad con las que se abrió, permite reconstruir, sin necesidad de seccionar físicamente esta unión, cómo varía esta concentración de dopaje capa por capa a medida que este barrido de voltaje aplicado va extendiendo este ancho de la región de agotamiento cada vez más profundo dentro de ella: cuanto más amplio es este barrido de voltaje aplicado sobre esta unión, hasta un voltaje en polarización inversa más alto, más profundo alcanza este análisis de Schottky a reconstruir este perfil de dopaje, limitado únicamente por el voltaje de ruptura de esta misma unión que describe con más detalle un modelo distinto de este conjunto. Que este ancho de la región de agotamiento, con el que se abrió este modelo, sea el mismo ancho de la región de agotamiento que fija, para esta unión, ese voltaje de ruptura hace que este modelo, con este barrido de voltaje aplicado, no pueda extenderse en la práctica más allá del voltaje que ese mismo voltaje de ruptura le permite.

ID:4513