D1 Curvas Corriente-Voltaje (I-V)

Tópico

La curva corriente-voltaje medida de este diodo, el método experimental básico que describe este modelo, se ajusta, representada en escala semilogarítmica, para extraer los parámetros del modelo de Shockley de este mismo diodo que describe con más detalle otro modelo de este conjunto: en esta escala semilogarítmica, el tramo de esta curva corriente-voltaje medida en el que este diodo todavía se comporta de manera ideal se convierte en una línea recta, y son la pendiente y la ordenada al origen de esa misma línea recta las que devuelven, respectivamente, el factor de idealidad y la corriente de saturación de este modelo de Shockley. Que esta curva corriente-voltaje medida se aparte, en algún tramo, de esta línea recta ideal en esta escala semilogarítmica hace que ese mismo tramo, en consecuencia, quede fuera del rango en el que este ajuste semilogarítmico todavía puede extraer de manera confiable estos parámetros de este modelo de Shockley.

Ese mismo apartamiento de esta curva corriente-voltaje medida respecto de esa línea recta ideal, a corriente directa alta sobre este diodo, es el que aprovecha el método de Cheung para extraer la resistencia serie de este diodo: a esta corriente directa alta, una fracción cada vez mayor del voltaje total aplicado sobre este diodo cae, en cambio, sobre esta misma resistencia serie, en lugar de sobre la unión propiamente dicha que describe este modelo de Shockley, y es esa misma caída de voltaje adicional sobre esta resistencia serie la que aparta a esta curva corriente-voltaje medida de esa línea recta ideal en esta escala semilogarítmica. Que esta resistencia serie de este diodo sea mayor hace que esta curva corriente-voltaje medida se aparte, en consecuencia, de esa línea recta ideal a una corriente directa más baja.

Por eso este modelo, con la curva corriente-voltaje del diodo y esta resistencia serie con las que se abrió, aplica este mismo método experimental de caracterización eléctrica también sobre un MOSFET distinto, para extraer, de la curva corriente-voltaje de ese MOSFET, la transconductancia que integra, como uno de sus parámetros, el modelo de ese mismo MOSFET que describe con más detalle otro modelo distinto de este conjunto: esta transconductancia, la pendiente de la corriente de este MOSFET frente al voltaje de puerta que la controla, resulta, al igual que el factor de idealidad, la corriente de saturación y esta resistencia serie de ese diodo, un parámetro que solo esta misma técnica de medir una curva corriente-voltaje puede extraer directamente. Que esta curva corriente-voltaje, medida ya sea sobre este diodo o sobre ese MOSFET, sea la misma técnica experimental básica detrás de la extracción de todos estos parámetros distintos hace que este modelo sea, en consecuencia, el punto de partida experimental común de estos otros dos modelos de este conjunto.

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