A3 Efectos de Canal Corto (MOSFET)

Tópico

Que la longitud de este canal de este MOSFET se acorte hasta volverse comparable a la propia región de agotamiento de sus uniones de fuente y de drenaje causa, sobre el voltaje umbral de este MOSFET, un roll-off con esta misma longitud de canal: a medida que estas dos regiones de agotamiento, la de la unión de fuente y la de la unión de drenaje, invaden una fracción cada vez mayor de este canal ya acortado, esas mismas regiones de agotamiento asumen, por sí solas, una parte de la carga que en un canal largo tendría que controlar por completo la puerta de este MOSFET, y esta puerta necesita, en consecuencia, un voltaje umbral menor para terminar de invertir el resto de este canal. Que esta longitud de canal se acorte todavía más hace que estas regiones de agotamiento invadan, en consecuencia, una fracción todavía mayor de este canal, y que este roll-off del voltaje umbral, en consecuencia, sea más pronunciado.

El voltaje drenaje-fuente de este mismo MOSFET, cuando es lo bastante alto sobre este canal ya acortado, induce además una reducción adicional de la barrera de potencial que controla, del lado de la fuente, la formación de este canal: este mismo efecto, la reducción de barrera inducida por el drenaje, hace que la región de agotamiento del drenaje, al aproximarse lo suficiente a la región de agotamiento de la fuente dentro de este canal ya acortado, disminuya directamente esta barrera de potencial del lado de la fuente, sin que se necesite, para lograr esa misma disminución, ningún voltaje adicional aplicado sobre la puerta de este MOSFET. Que este voltaje drenaje-fuente sea más alto, sobre este mismo canal ya acortado, hace que esta reducción de barrera inducida por el drenaje sea, en consecuencia, mayor.

Por eso este modelo, con este roll-off del voltaje umbral y esta reducción de barrera inducida por el drenaje con las que se abrió, hace que ambos efectos juntos determinen el voltaje umbral efectivo de este MOSFET de canal corto, corrigiendo al modelo cuadrático simple que describe, para el mismo MOSFET, otro modelo de este conjunto, válido únicamente cuando este canal permanece lo bastante largo como para que ninguno de estos dos efectos de canal corto resulte significativo: cuanto más se acorta este canal, y cuanto más alto es este voltaje drenaje-fuente aplicado sobre él, más se aleja este voltaje umbral efectivo, por la acción combinada de este roll-off y de esta reducción de barrera inducida por el drenaje, del voltaje umbral fijo que predice ese modelo cuadrático simple para un canal largo. Que este voltaje umbral efectivo de este MOSFET de canal corto dependa, de este modo, tanto de esta longitud de canal como de este voltaje drenaje-fuente aplicado hace que ese modelo cuadrático simple de canal largo deje de ser, en consecuencia, una aproximación válida para describir a este mismo MOSFET.

ID:4509