Storyboard

Caracterización eléctrica básica de diodos y transistores; extrae los parámetros del modelo de Shockley (M1) y del MOSFET (M2) por ajuste de la curva medida.

ID:('ky', 1743)

Storyboard

$\log_{10}I=\log_{10}I_0+\frac{eV}{n k_BT\ln(10)}$

Variables

$n$

Factor de idealidad

$1$

$I_0$

Corriente de saturación

$A$

$I$

Corriente del diodo

$A$

$e$

Carga elemental

$C$

$T$

Temperatura

$K$

$V$

Voltaje aplicado al diodo

$V$

$k_B$

Constante de Boltzmann

$J/K$

ID:('gm', 15013)

Storyboard

$I=I_0\left[e^{\frac{e(V-IR_s)}{nk_BT}}-1\right]$

Variables

$n$

Factor de idealidad

$1$

$I_0$

Corriente de saturación

$A$

$I$

Corriente del diodo

$A$

$e$

Carga elemental

$C$

$T$

Temperatura

$K$

$V$

Voltaje aplicado al diodo

$V$

$k_B$

Constante de Boltzmann

$J/K$

$R_s$

Resistencia serie

$?$

ID:('gm', 15014)

Storyboard

$\frac{dV}{d\ln I}=\frac{nk_BT}{e}+IR_s$

Variables

$n$

Factor de idealidad

$1$

$I$

Corriente del diodo

$A$

$e$

Carga elemental

$C$

$T$

Temperatura

$K$

$frac{dV}{dln I}$

Pendiente Cheung

$V$

$k_B$

Constante de Boltzmann

$J/K$

$R_s$

Resistencia serie

$?$

ID:('gm', 15015)

Storyboard

$I_D=\frac{1}{2}k(V_{GS}-V_{th})^2(1+\lambda V_{DS})$

Variables

$I_D$

Corriente drenaje MOSFET

$A$

$lambda$

Modulación de canal

$1/V$

$k$

Parámetro de transconductancia

$A/V²$

$V_{GS}$

Voltaje compuerta-fuente

$V$

$V_{DS}$

Voltaje drenaje-fuente

$V$

$V_{th}$

Voltaje umbral MOSFET

$V$

ID:('gm', 15016)

Storyboard

$g_m=\frac{\partial I_D}{\partial V_{GS}}=k(V_{GS}-V_{th})(1+\lambda V_{DS})$

Variables

$lambda$

Modulación de canal

$1/V$

$g_m$

Transconductancia

$S$

$k$

Parámetro de transconductancia

$A/V²$

$V_{GS}$

Voltaje compuerta-fuente

$V$

$V_{DS}$

Voltaje drenaje-fuente

$V$

$V_{th}$

Voltaje umbral MOSFET

$V$

ID:('gm', 15017)