Storyboard

Cuando la longitud del canal se acerca al ancho de la región de agotamiento de las junturas fuente/drenaje, el modelo simple de M2 falla: el voltaje umbral cae con L (roll-off) y depende de V_DS (DIBL).

ID:('ky', 1740)

Storyboard

$\Delta V_{th}=-\frac{V_{bi}x_j}{L}\sqrt{1+\frac{2W_m}{x_j}}$

Variables

$V_{bi}$

Potencial built-in de juntura

$V$

$Delta V_{th}$

Reducción por canal corto

$V$

$W_m$

Ancho máximo de agotamiento

$m$

$L$

Longitud de canal

$m$

$x_j$

Profundidad de juntura

$m$

ID:('gm', 14992)

Storyboard

$\Delta V_{th,DIBL}=-\lambda_DV_{DS}$

Variables

$lambda_D$

Coeficiente DIBL

$1$

$Delta V_{th,DIBL}$

Reducción por DIBL

$V$

$V_{DS}$

Voltaje drenaje-fuente

$V$

ID:('gm', 14993)

Storyboard

$V_{th}^{short}=V_{th0}-|\Delta V_{th}|+\Delta V_{th,DIBL}$

Variables

$Delta V_{th}$

Reducción por canal corto

$V$

$Delta V_{th,DIBL}$

Reducción por DIBL

$V$

$V_{th0}$

Umbral de canal largo

$V$

$V_{th}^{short}$

Voltaje umbral efectivo

$V$

ID:('gm', 14994)

Storyboard

$\frac{dV_{DS}}{dt}=\frac{V_{DS,target}-V_{DS}}{\tau}$

Variables

$V_{DS,target}$

Valor objetivo de VDS

$V$

$V_{DS}$

Voltaje drenaje-fuente

$V$

$ au$

Constante temporal

$s$

ID:('gm', 14995)

Storyboard

$V_{ov}=V_{GS}-V_{th}^{short}$

Variables

$V_{ov}$

Sobrevoltaje de compuerta

$V$

$V_{GS}$

Voltaje compuerta-fuente

$V$

$V_{th}^{short}$

Voltaje umbral efectivo

$V$

ID:('gm', 14996)

Storyboard

$\beta=\mu_nC_{ox}\frac{W}{L}$

Variables

$\beta$

Parámetro transconductancia

$A/V²$

$C_{ox}$

Capacitancia de óxido por área

$F/m²$

$W$

Ancho del transistor

$m$

$L$

Longitud de canal

$m$

$mu_n$

Movilidad electrónica

$m²/V·s$

ID:('gm', 14997)

Storyboard

$I_D=\beta(V_{ov}V_{DS}-\frac{1}{2}V_{DS}^2)$

Variables

$I_{D,lin}$

Corriente en región lineal

$A$

$\beta$

Parámetro transconductancia

$A/V²$

$V_{ov}$

Sobrevoltaje de compuerta

$V$

$V_{DS}$

Voltaje drenaje-fuente

$V$

ID:('gm', 14998)

Storyboard

$I_D=\frac{1}{2}\beta V_{ov}^2(1+\lambda_DV_{DS})$

Variables

$lambda_D$

Coeficiente DIBL

$1$

$I_{D,sat}$

Corriente en saturación

$A$

$\beta$

Parámetro transconductancia

$A/V²$

$V_{ov}$

Sobrevoltaje de compuerta

$V$

$V_{DS}$

Voltaje drenaje-fuente

$V$

ID:('gm', 14999)