Usuario:

Efectos de Canal Corto (MOSFET)
Descripción

Cálculos

Primero, seleccione la ecuación:   a ,  luego, seleccione la variable:   a 
Símbolo
Ecuación
Resuelto
Traducido

Cálculos

Símbolo
Ecuación
Resuelto
Traducido

 Variable   Dado   Calcule   Objetivo :   Ecuación   A utilizar


Variables
Símbolo
Texto
Variable
Valor
Unidades
Calcule
Valor MKS
Unidades MKS
$lambda_D$
DIBL_coeff
Coeficiente DIBL
1
$I_{D,lin}$
I_D_linear
Corriente en región lineal
A
$I_{D,sat}$
I_D_sat
Corriente en saturación
A
$\beta$
beta
Parámetro transconductancia
A/V²
$C_{ox}$
C_ox
Capacitancia de óxido por área
F/m²
$V_{bi}$
V_bi_junction
Potencial built-in de juntura
V
$Delta V_{th}$
Delta_V_th_rolloff
Reducción por canal corto
V
$Delta V_{th,DIBL}$
Delta_V_th_DIBL
Reducción por DIBL
V
$V_{ov}$
V_ov
Sobrevoltaje de compuerta
V
$V_{th0}$
V_th0
Umbral de canal largo
V
$V_{DS,target}$
V_DS_target
Valor objetivo de VDS
V
$V_{GS}$
V_GS
Voltaje compuerta-fuente
V
$V_{DS}$
V_DS
Voltaje drenaje-fuente
V
$V_{th}^{short}$
V_th_short
Voltaje umbral efectivo
V
$W$
W_gate
Ancho del transistor
m
$W_m$
W_depl_max
Ancho máximo de agotamiento
m
$L$
L_gate
Longitud de canal
m
$x_j$
x_j_depth
Profundidad de juntura
m
$ au$
tau
Constante temporal
s
$mu_n$
mu_n
Movilidad electrónica
m²/V·s

ID:(0, 1740)

gphysics.net - Dr. Willy H. Gerber
Palos Verdes, Costa de Corral, Chile