Storyboard

A campo eléctrico suficientemente alto, la unión p-n deja de bloquear corriente inversa: por efecto túnel banda-banda (Zener, uniones muy dopadas) o por multiplicación de avalancha (uniones poco dopadas).

ID:('ky', 1738)

Storyboard

$I_Z=A_zE^2e^{-B_z/E}$

Variables

$I_Z$

Corriente por túnel Zener

$A$

$A_z$

Coeficiente Fowler-Nordheim efectivo

$A·m²/V²$

$E$

Campo eléctrico en la unión

$V/m$

$B_z$

Coeficiente exponencial Zener

$V/m$

ID:('gm', 14979)

Storyboard

$M=\frac{1}{1-(|V|/V_{BR})^n}$

Variables

$n$

Exponente de avalancha

$1$

$M$

Factor de multiplicación por avalancha

$1$

$V_{BR}$

Voltaje de ruptura

$V$

$V$

Voltaje inverso aplicado

$V$

ID:('gm', 14980)

Storyboard

$V_{BR}=\frac{\varepsilon_sE_{crit}^2}{2eN}$

Variables

$N$

Concentración de dopaje ligero

$1/m³$

$e$

Carga elemental

$C$

$varepsilon_s$

Permitividad del semiconductor

$F/m$

$E_{crit}$

Campo crítico de ruptura

$V/m$

$V_{BR}$

Voltaje de ruptura

$V$

ID:('gm', 14981)

Storyboard

$W=\frac{2V_{BR}}{E_{crit}}$

Variables

$E_{crit}$

Campo crítico de ruptura

$V/m$

$V_{BR}$

Voltaje de ruptura

$V$

$W$

Ancho efectivo de agotamiento

$m$

ID:('gm', 14982)

Storyboard

$E=\frac{|V|}{W}$

Variables

$E$

Campo eléctrico en la unión

$V/m$

$V$

Voltaje inverso aplicado

$V$

$W$

Ancho efectivo de agotamiento

$m$

ID:('gm', 14983)

Storyboard

$\frac{dV}{dt}=\frac{V_{target}-V}{\tau}$

Variables

$V$

Voltaje inverso aplicado

$V$

$V_{target}$

Voltaje objetivo ajustable

$V$

$ au$

Constante de respuesta temporal

$s$

ID:('gm', 14984)

Storyboard

$I_{total}=I_Z+I_{leak}M$

Variables

$M$

Factor de multiplicación por avalancha

$1$

$I_{leak}$

Corriente de fuga base

$A$

$I_{total}$

Corriente inversa total

$A$

$I_Z$

Corriente por túnel Zener

$A$

ID:('gm', 14985)