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Los dos mecanismos de transporte de carga en un semiconductor bajo campo eléctrico y gradiente de concentración; la relación de Einstein los conecta mediante la temperatura.

ID:('ky', 1734)

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$J_{drift}=en\mu_nE$

Variables

$n$

Concentración de electrones

$1/m³$

$J_{drift}$

Corriente de deriva electrónica

$A/m²$

$e$

Carga elemental

$C$

$E$

Campo eléctrico

$V/m$

$mu_n$

Movilidad electrónica

$m²/V·s$

ID:('gm', 14951)

Storyboard

$J_{diff}=eD_n\frac{\partial n}{\partial x}$

Variables

$n$

Concentración de electrones

$1/m³$

$J_{diff}$

Corriente de difusión electrónica

$A/m²$

$e$

Carga elemental

$C$

$x$

Posición espacial

$m$

$D_n$

Coeficiente de difusión electrónico

$m²/s$

ID:('gm', 14952)

Storyboard

$D_n=\frac{\mu_nk_BT}{e}$

Variables

$e$

Carga elemental

$C$

$T$

Temperatura

$K$

$D_n$

Coeficiente de difusión electrónico

$m²/s$

$k_B$

Constante de Boltzmann

$J/K$

$mu_n$

Movilidad electrónica

$m²/V·s$

ID:('gm', 14953)

Storyboard

$J_n=J_{drift}+J_{diff}$

Variables

$J_{drift}$

Corriente de deriva electrónica

$A/m²$

$J_{diff}$

Corriente de difusión electrónica

$A/m²$

$J_n$

Corriente electrónica total

$A/m²$

ID:('gm', 14954)

Storyboard

$R=\frac{\max(0,n-n_0)}{\tau}$

Variables

$R$

Tasa de recombinación

$1/m²s$

$n$

Concentración de electrones

$1/m³$

$n_0$

Concentración de equilibrio

$1/m³$

$ au$

Tiempo de recombinación

$s$

ID:('gm', 14955)

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$\frac{\partial n}{\partial t}=\frac{1}{e}\frac{\partial J_n}{\partial x}+G-R$

Variables

$G$

Tasa de generación

$1/m²s$

$R$

Tasa de recombinación

$1/m²s$

$n$

Concentración de electrones

$1/m³$

$J_n$

Corriente electrónica total

$A/m²$

$e$

Carga elemental

$C$

$x$

Posición espacial

$m$

ID:('gm', 14956)