Storyboard

El voltaje de compuerta modula la carga del canal, controlando la corriente drenaje-fuente; el modelo cuadrático es válido mientras el canal sea largo (contrastar con A3).

ID:('ky', 1733)

Storyboard

$C_{ox}=\frac{\varepsilon_{ox}}{t_{ox}}$

Variables

$varepsilon_{ox}$

Permitividad del óxido

$F/m$

$C_{ox}$

Capacitancia de óxido por unidad de área

$F/m²$

$t_{ox}$

Espesor del óxido

$m$

ID:('gm', 14943)

Storyboard

$V_{th}=V_{FB}+2\phi_F+\frac{\sqrt{2\varepsilon_seN_A(2\phi_F)}}{C_{ox}}$

Variables

$N_A$

Concentración aceptora del sustrato

$1/m³$

$e$

Carga elemental

$C$

$varepsilon_s$

Permitividad del semiconductor

$F/m$

$C_{ox}$

Capacitancia de óxido por unidad de área

$F/m²$

$phi_F$

Potencial de Fermi

$V$

$V_{FB}$

Voltaje de banda plana

$V$

$V_{th}$

Voltaje umbral

$V$

ID:('gm', 14944)

Storyboard

$V_{ov}=V_{GS}-V_{th}$

Variables

$V_{ov}$

Sobrevoltaje de compuerta

$V$

$V_{GS}$

Voltaje compuerta-fuente

$V$

$V_{th}$

Voltaje umbral

$V$

ID:('gm', 14945)

Storyboard

$\beta=\mu_nC_{ox}\frac{W}{L}$

Variables

$\beta$

Factor de transconductancia

$A/V²$

$C_{ox}$

Capacitancia de óxido por unidad de área

$F/m²$

$W$

Ancho de canal

$m$

$L$

Longitud de canal

$m$

$mu_n$

Movilidad electrónica

$m²/V·s$

ID:('gm', 14946)

Storyboard

$I_D=\mu_nC_{ox}\frac{W}{L}\left[(V_{GS}-V_{th})V_{DS}-\frac{V_{DS}^2}{2}\right]$

Variables

$I_D$

Corriente de drenaje lineal/seleccionada

$A$

$C_{ox}$

Capacitancia de óxido por unidad de área

$F/m²$

$V_{GS}$

Voltaje compuerta-fuente

$V$

$V_{DS}$

Voltaje drenaje-fuente

$V$

$V_{th}$

Voltaje umbral

$V$

$W$

Ancho de canal

$m$

$L$

Longitud de canal

$m$

$mu_n$

Movilidad electrónica

$m²/V·s$

ID:('gm', 14947)

Storyboard

$I_{D,sat}=\frac{\mu_nC_{ox}}{2}\frac{W}{L}(V_{GS}-V_{th})^2$

Variables

$I_{D,sat}$

Corriente de saturación

$A$

$C_{ox}$

Capacitancia de óxido por unidad de área

$F/m²$

$V_{GS}$

Voltaje compuerta-fuente

$V$

$V_{th}$

Voltaje umbral

$V$

$W$

Ancho de canal

$m$

$L$

Longitud de canal

$m$

$mu_n$

Movilidad electrónica

$m²/V·s$

ID:('gm', 14948)

Storyboard

$\frac{dV_{GS}}{dt}=\frac{V_{GS,target}-V_{GS}}{\tau}$

Variables

$V_{GS,target}$

Objetivo dinámico de compuerta

$V$

$V_{GS}$

Voltaje compuerta-fuente

$V$

$ au$

Constante temporal de respuesta

$s$

ID:('gm', 14949)

Storyboard

$\frac{dV_{DS}}{dt}=\frac{V_{DS,target}-V_{DS}}{\tau}$

Variables

$V_{DS,target}$

Objetivo dinámico drenaje-fuente

$V$

$V_{DS}$

Voltaje drenaje-fuente

$V$

$ au$

Constante temporal de respuesta

$s$

ID:('gm', 14950)