Usuario:

Transistor de Efecto de Campo (MOSFET)
Descripción

Cálculos

Primero, seleccione la ecuación:   a ,  luego, seleccione la variable:   a 
Símbolo
Ecuación
Resuelto
Traducido

Cálculos

Símbolo
Ecuación
Resuelto
Traducido

 Variable   Dado   Calcule   Objetivo :   Ecuación   A utilizar


Variables
Símbolo
Texto
Variable
Valor
Unidades
Calcule
Valor MKS
Unidades MKS
$N_A$
N_A_acc
Concentración aceptora del sustrato
1/m³
$I_D$
I_D
Corriente de drenaje lineal/seleccionada
A
$I_{D,sat}$
I_D_sat
Corriente de saturación
A
$e$
e_ch
Carga elemental
C
$\beta$
beta
Factor de transconductancia
A/V²
$varepsilon_{ox}$
eps_ox
Permitividad del óxido
F/m
$varepsilon_s$
eps_s
Permitividad del semiconductor
F/m
$C_{ox}$
C_ox
Capacitancia de óxido por unidad de área
F/m²
$V_{GS,target}$
V_GS_target
Objetivo dinámico de compuerta
V
$V_{DS,target}$
V_DS_target
Objetivo dinámico drenaje-fuente
V
$phi_F$
phi_F
Potencial de Fermi
V
$V_{ov}$
V_ov
Sobrevoltaje de compuerta
V
$V_{GS}$
V_GS
Voltaje compuerta-fuente
V
$V_{FB}$
V_FB
Voltaje de banda plana
V
$V_{DS}$
V_DS
Voltaje drenaje-fuente
V
$V_{th}$
V_th
Voltaje umbral
V
$W$
W_gate
Ancho de canal
m
$t_{ox}$
t_ox
Espesor del óxido
m
$L$
L_gate
Longitud de canal
m
$ au$
tau
Constante temporal de respuesta
s
$mu_n$
mu_n_carrier
Movilidad electrónica
m²/V·s

ID:(0, 1733)

gphysics.net - Dr. Willy H. Gerber
Palos Verdes, Costa de Corral, Chile