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Introducción deliberada de impurezas que ceden (donor) o aceptan (aceptor) un electrón, desplazando la concentración de portadores muy por encima de n_i sin necesidad de excitación térmica intensa.

ID:('ky', 1728)

Storyboard

$E_D=13.6,\mathrm{eV}\frac{m_e^*/m_0}{\varepsilon_r^2}$

Variables

$varepsilon_r$

Permitividad relativa

$1$

$m_0$

Masa del electrón libre

$kg$

$m_e^*$

Masa efectiva electrón

$kg$

$eV$

Electrón-volt en joule

$J$

$E_D$

Energía de ionización donor

$J$

ID:('gm', 14903)

Storyboard

$E_A=13.6,\mathrm{eV}\frac{m_h^*/m_0}{\varepsilon_r^2}$

Variables

$varepsilon_r$

Permitividad relativa

$1$

$m_0$

Masa del electrón libre

$kg$

$m_h^*$

Masa efectiva hueco

$kg$

$eV$

Electrón-volt en joule

$J$

$E_A$

Energía de ionización aceptor

$J$

ID:('gm', 14904)

Storyboard

$a_D=a_{B,H}\varepsilon_r\frac{m_0}{m_e^*}$

Variables

$varepsilon_r$

Permitividad relativa

$1$

$m_0$

Masa del electrón libre

$kg$

$m_e^*$

Masa efectiva electrón

$kg$

$a_{B,H}$

Radio de Bohr del hidrógeno

$m$

$a_D$

Radio de Bohr donor

$m$

ID:('gm', 14905)

Storyboard

$N_D^+=f_DN_D$

Variables

$f_D$

Fracción donor ionizada

$1$

$N_D$

Concentración donor

$1/m³$

$N_D^+$

Donores ionizados

$1/m³$

ID:('gm', 14906)

Storyboard

$N_A^-=f_ANA$

Variables

$f_A$

Fracción aceptor ionizada

$1$

$N_A^-$

Aceptores ionizados

$1/m³$

$N_A$

Concentración aceptor

$1/m³$

ID:('gm', 14907)

Storyboard

$n= \max(n_i,N_D^+-N_A^-)$

Variables

$N_A^-$

Aceptores ionizados

$1/m³$

$n$

Concentración de electrones

$1/m³$

$n_i$

Concentración intrínseca

$1/m³$

$N_D^+$

Donores ionizados

$1/m³$

ID:('gm', 14908)

Storyboard

$p=\frac{n_i^2}{n}$

Variables

$n$

Concentración de electrones

$1/m³$

$p$

Concentración de huecos

$1/m³$

$n_i$

Concentración intrínseca

$1/m³$

ID:('gm', 14909)

Storyboard

$n+N_A^-=p+N_D^+$

Variables

$N_A^-$

Aceptores ionizados

$1/m³$

$n$

Concentración de electrones

$1/m³$

$p$

Concentración de huecos

$1/m³$

$N_D^+$

Donores ionizados

$1/m³$

ID:('gm', 14910)

Storyboard

$\sigma=e(\mu_n n+\mu_p p)$

Variables

$n$

Concentración de electrones

$1/m³$

$p$

Concentración de huecos

$1/m³$

$e$

Carga elemental

$C$

$sigma$

Conductividad

$S/m$

$mu_p$

Movilidad de huecos

$m²/V·s$

$mu_n$

Movilidad electrónica

$m²/V·s$

ID:('gm', 14911)