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Relación de dispersión energía-momento cristalino cerca de los extremos de banda; el bandgap E_g es el parámetro central que separa aislante, semiconductor y metal.

ID:('ky', 1726)

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$E_c(k)=E_{c0}+\frac{\hbar^2k^2}{2m_e^*}$

Variables

$k$

Número de onda cristalino

$1/m$

$m_e^*$

Masa efectiva electrón

$kg$

$hbar$

Constante reducida de Planck

$J·s$

$E_{c0}$

Borde conducción en (k=0)

$J$

$E_c(k)$

Energía banda conducción

$J$

ID:('gm', 14889)

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$E_v(k)=E_{v0}-\frac{\hbar^2k^2}{2m_h^*}$

Variables

$k$

Número de onda cristalino

$1/m$

$m_h^*$

Masa efectiva hueco

$kg$

$hbar$

Constante reducida de Planck

$J·s$

$E_{v0}$

Borde valencia en (k=0)

$J$

$E_v(k)$

Energía banda valencia

$J$

ID:('gm', 14890)

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$E_g=E_{c0}-E_{v0}$

Variables

$E_g$

Banda prohibida

$J$

$E_{c0}$

Borde conducción en (k=0)

$J$

$E_{v0}$

Borde valencia en (k=0)

$J$

ID:('gm', 14891)

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$E_g(T)=E_{g,0K}-\frac{\alpha T^2}{T+\beta}$

Variables

$\beta$

Coeficiente Varshni

$K$

$T$

Temperatura

$K$

$E_g(T)$

Banda prohibida dependiente de temperatura

$J$

$E_{g,0K}$

Bandgap a 0 K

$J$

$alpha$

Coeficiente Varshni

$J/K$

ID:('gm', 14892)

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$E_{c0}=\frac{E_g(T)}{2}$

Variables

$E_g(T)$

Banda prohibida dependiente de temperatura

$J$

$E_{c0}$

Borde conducción en (k=0)

$J$

ID:('gm', 14893)

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$E_{v0}=-\frac{E_g(T)}{2}$

Variables

$E_g(T)$

Banda prohibida dependiente de temperatura

$J$

$E_{v0}$

Borde valencia en (k=0)

$J$

ID:('gm', 14894)