Storyboard

Acoplamiento electromecánico en cerámicos funcionales (PZT, BaTiO3) por ruptura de simetría de inversión en la celda unitaria mecanismo distinto al transporte de portadores de semiconductores.

ID:('ky', 1624)

Storyboard

$P=d,\sigma$

Variables

$P$

Polarización piezoeléctrica

$C/m²$

$sigma$

Esfuerzo aplicado

$Pa$

$d$

Coeficiente piezoeléctrico

$C/N$

ID:('gm', 14262)

Storyboard

$\epsilon=dE$

Variables

$epsilon$

Deformación

$1$

$E$

Campo eléctrico

$V/m$

$d$

Coeficiente piezoeléctrico

$C/N$

ID:('gm', 14263)

Storyboard

$g=\frac{d}{\varepsilon_0\varepsilon_r}$

Variables

$varepsilon_r$

Permitividad relativa

$1$

$varepsilon_0$

Permitividad del vacío

$F/m$

$g$

Constante de voltaje

$V·m/N$

$d$

Coeficiente piezoeléctrico

$C/N$

ID:('gm', 14264)

Storyboard

$k^2=\frac{d^2}{\varepsilon_0\varepsilon_rs_E}$

Variables

$k$

Factor de acoplamiento

$1$

$varepsilon_r$

Permitividad relativa

$1$

$varepsilon_0$

Permitividad del vacío

$F/m$

$s_E$

Compliancia elástica

$1/Pa$

$d$

Coeficiente piezoeléctrico

$C/N$

ID:('gm', 14265)

Storyboard

$\varepsilon_r=\frac{C_{CW}}{T-T_C}$

Variables

$varepsilon_r$

Permitividad relativa

$1$

$C_{CW}$

Constante de Curie-Weiss

$K$

$T$

Temperatura absoluta

$K$

$T_C$

Temperatura de Curie

$K$

ID:('gm', 14266)

Storyboard

$P_{fe}=d\sigma+\varepsilon_0\varepsilon_rE$

Variables

$varepsilon_r$

Permitividad relativa

$1$

$P_{fe}$

Polarización efectiva

$C/m²$

$varepsilon_0$

Permitividad del vacío

$F/m$

$sigma$

Esfuerzo aplicado

$Pa$

$E$

Campo eléctrico

$V/m$

$d$

Coeficiente piezoeléctrico

$C/N$

ID:('gm', 14267)

Storyboard

$U_{hyst}=\oint E,dP$

Variables

$P$

Polarización piezoeléctrica

$C/m²$

$U_{hyst}$

Energía de histéresis

$J/m³$

$E$

Campo eléctrico

$V/m$

ID:('gm', 14268)