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Movimiento de iones a través de la red cristalina, responsable de la conductividad eléctrica en cerámicos iónicos y electrolitos sólidos; se apoya en los defectos de E3.

ID:('ky', 1620)

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$\sigma_{ion}=\frac{n_{ion}z_{ion}^2e_{ch}^2D_{ion}}{k_BT}$

Variables

$z_{ion}$

Valencia iónica

$1$

$n_{ion}$

Densidad de portadores iónicos

$1/m³$

$e_{ch}$

Carga elemental

$C$

$sigma_{ion}$

Conductividad iónica

$S/m$

$T$

Temperatura absoluta

$K$

$D_{ion}$

Difusividad iónica

$m²/s$

$k_B$

Constante de Boltzmann

$J/K$

ID:('gm', 14237)

Storyboard

$\mu_{ion}=\frac{z_{ion}e_{ch}D_{ion}}{k_BT}$

Variables

$z_{ion}$

Valencia iónica

$1$

$e_{ch}$

Carga elemental

$C$

$T$

Temperatura absoluta

$K$

$D_{ion}$

Difusividad iónica

$m²/s$

$k_B$

Constante de Boltzmann

$J/K$

$mu_{ion}$

Movilidad iónica

$m²/V·s$

ID:('gm', 14238)

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$\sigma_{ion}=\frac{\sigma_{0,ion}}{T}\exp\left(-\frac{E_{a,ion}}{k_BT}\right)$

Variables

$sigma_{ion}$

Conductividad iónica

$S/m$

$sigma_{0,ion}$

Prefactor Arrhenius

$S·K/m$

$T$

Temperatura absoluta

$K$

$E_{a,ion}$

Energía de activación

$J$

$k_B$

Constante de Boltzmann

$J/K$

ID:('gm', 14239)

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$\frac{\partial c_{ion}}{\partial t}=D_{ion}\frac{\partial^2c_{ion}}{\partial x^2}$

Variables

$c_{ion}$

Concentración iónica

$1/m³$

$x$

Posición

$m$

$D_{ion}$

Difusividad iónica

$m²/s$

$t$

Tiempo

$s$

ID:('gm', 14240)

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$J_{ion}=-D_{ion}\frac{\partial c_{ion}}{\partial x}$

Variables

$J_{ion}$

Flujo iónico

$1/m²s$

$c_{ion}$

Concentración iónica

$1/m³$

$x$

Posición

$m$

$D_{ion}$

Difusividad iónica

$m²/s$

ID:('gm', 14241)

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$c_i^{n+1}=c_i^n+D_{ion}\Delta t\frac{c_{i+1}^n-2c_i^n+c_{i-1}^n}{\Delta x^2}$

Variables

$c_{ion}$

Concentración iónica

$1/m³$

$Delta x$

Paso espacial

$m$

$D_{ion}$

Difusividad iónica

$m²/s$

$Delta t$

Paso temporal

$s$

ID:('gm', 14242)